VASP能带计算的步骤，以及能带图中费米能级的校正方法，容易产生混淆的地方主要有两处：一是将高对称路径直接用于自洽计算，二是不区分金属与半导体，统一使用OUTCAR中的费米能级作为能量零点。常规的能带计算通常需要先获得收敛的电荷密度，再沿布里渊区的高对称路径进行非自洽计算。关于能量零点，金属可以直接以费米能级为基准，而半导体和绝缘体则常以价带顶作为零点，这样更便于比较带隙和带边位置。

　　一、VASP能带计算怎么做

　　能带计算并不是单独准备一份KPOINTS就可以开始。结构、赝势、截断能、磁性、DFT+U以及自旋轨道耦合等设置，都需要与此前的基态计算保持一致。如果在计算中途更换参数，即使最终能够得到能带图，也不适合直接与原来的总能量或态密度进行比较。

　　1、先完成结构优化和静态自洽计算

　　首先需要对晶体结构进行充分的优化，然后使用规则的Monkhorst-Pack或Gamma中心网格进行静态自洽计算。静态计算需要达到稳定的电子收敛，并保留CHGCAR文件。高对称线性路径不适合用来生成可靠的电荷密度，因此这一步骤不能跳过。

　　在进行静态计算时，还需要检查k点密度、ENCUT和EDIFF是否已经收敛。如果体系含有过渡金属、磁性元素或较强的自旋轨道耦合，相关参数应在自洽计算阶段就设置好，而不是在绘制能带时临时加入。

　　2、准备高对称路径

　　在【KPOINTS】中使用Line-mode设置高对称点之间的路径，例如六方晶系常见的Γ、M、K等节点。

　　高对称路径必须与当前使用的晶胞对应。原胞和惯用胞的布里渊区不同，直接沿用为另一种晶胞准备的路径，虽然仍可能生成能带曲线，但高对称点的含义已经错误。每一段路径上的插值点数也不宜过少，否则曲线会呈现明显的折线状，不利于判断极值位置。

　　3、执行非自洽能带计算

　　将收敛后的CHGCAR复制到能带计算目录，在INCAR中设置ICHARG=11，再沿Line-mode路径进行非自洽计算。该设置会读取已有的电荷密度，并保持电荷密度和势不再更新。

　　同时还需要确认NBANDS足够覆盖需要观察的导带范围。如果只计算了少量空带，费米能级以上的曲线将会不完整。在使用较新版本的VASP时，也可以通过KPOINTS_OPT在一次任务中同时完成自洽网格和额外高对称路径的计算，但传统的两步流程更便于排查问题。

　　二、VASP能带图费米能级怎么校正

　　通常所说的费米能级校正，并不是修改VASP的计算结果，而是在绘图时选择一个统一的能量参考。一般的处理方法是将每条能带的本征值减去选定的参考能量，使参考位置在图中显示为0 eV。

　　1、金属体系使用自洽费米能级

　　对于金属，可从前一步规则k点自洽计算的OUTCAR中读取E-fermi，绘图时使用E-EF。

　　处理之后，穿过0 eV的能带即为跨越费米面的能带。

　　不要优先使用Line-mode非自洽计算重新给出的费米能级。高对称路径仅采样了布里渊区中的少量线段，不适合用来重新确定整个体系的电子占据。较为稳妥的做法是固定使用自洽计算或高密度DOS计算得到的EF。

　　2、半导体以价带顶作为零点

　　对于半导体和绝缘体，带隙内部没有唯一的费米能级。

　　VASP给出的EF可能位于带隙偏下、偏上或其他位置，并且会受到展宽方式等设置的影响，因此并不总能代表明确的物理带边。

　　更常用的处理方法是将所有能量减去价带顶VBM。这样价带顶位于0 eV，导带底的位置就直接对应计算所得的带隙。如果论文或绘图规范要求将费米能级放置在带隙中央，也可以取(VBM+CBM)/2作为零点，但需要说明此处采用的是带隙中点，而不是未经处理的VASP费米能级。

　　3、缺陷体系不能简单平移

　　含有缺陷、掺杂或带电超胞的体系，带隙中可能出现局域缺陷能级。此时首先要判断体系表现为金属、半导体，还是存在部分占据的缺陷态。不能看到OUTCAR中有E-fermi，就直接将其当作实验条件下的实际费米能级。

　　如果需要比较不同缺陷结构或不同超胞的带边位置，还要通过平均静电势、深层能级或其他共同参考进行能量对齐。仅将每张图的VBM单独设为零，只适合观察各自的能带形状，不能用于比较绝对的带边移动。

　　三、VASP能带结果异常怎么检查

　　能带图绘制完成后，仍需要与态密度、带隙以及体系性质互相验证。有时曲线看起来很平滑，实际却使用了错误的晶胞路径，或者自洽计算与能带计算的参数并不一致。

　　1、检查计算参数是否前后一致

　　POSCAR、POTCAR、ENCUT、DFT+U、磁矩和自旋轨道耦合设置要保持一致。

　　如果自洽计算没有开启SOC，而在能带阶段单独开启，读取原有电荷密度后得到的结果，很难作为严格一致的计算链路来使用。

　　2、对照态密度和占据情况

　　能带显示为金属，而DOS在费米能级附近接近零，通常需要重新检查费米零点、k点路径和展宽参数。对于半导体体系，还可以从EIGENVAL、vasprun.xml或OUTCAR中核对VBM、CBM及其对应的k点，不能仅通过目测来估计带隙。

　　3、确认能带数量和路径标签

　　导带突然中断，常见原因是NBANDS不足；路径某一段形状明显异常，则需要检查高对称点坐标、倒空间坐标类型和晶胞选择。绘图脚本中的节点位置与标签也要相互对应，否则即使计算本身没有问题，横坐标仍可能被错误标注。

　　总结

　　VASP能带计算怎么做VASP能带图费米能级怎么校正，核心是先用规则k点网格获得收敛的电荷密度，再使用ICHARG=11沿高对称路径完成非自洽计算。金属能带通常减去自洽计算得到的费米能级，半导体和绝缘体则更适合以VBM为零点，或者明确采用带隙中点。缺陷、掺杂及不同结构之间的比较还涉及能量对齐，不能只做简单平移。最后再检查参数一致性、NBANDS、k点路径和态密度，能带图才不只是画出来，而是能够得到正确的解释。