VASP能带计算的步骤，以及能带图中费米能级的校正方法，容易产生混淆的地方主要有两处：一是将高对称路径直接用于自洽计算，二是不区分金属与半导体，统一使用OUTCAR中的费米能级作为能量零点。常规的能带计算通常需要先获得收敛的电荷密度，再沿布里渊区的高对称路径进行非自洽计算。关于能量零点，金属可以直接以费米能级为基准，而半导体和绝缘体则常以价带顶作为零点，这样更便于比较带隙和带边位置。

VASP晶格优化应当如何设置，以及VASP晶格优化不收敛时怎样进行排查，在进行能带、态密度、弹性性质和声子计算之前，这两个问题是经常遇到的。晶格优化不仅要降低原子所受到的力，还可能涉及晶胞体积、晶格形状和晶格常数的变化。当参数设置不合适的时候，计算会出现能量来回振荡、原子位置反复移动、晶胞持续收缩，或者达到最大离子步数之后仍未收敛这些情况。排查时，需要把电子自洽、离子运动和晶胞应力这三个部分分开检查，不能只盯着最后一行是否出现了收敛提示。

在用VASP处理吸附、掺杂、界面或者异质结这类计算时，很多人都会想到用Bader电荷来判断电子到底是从哪个部分转移到了哪个部分。这个分析的基本思路，是靠着电荷密度的零通量面，把整个体系划分成一个个属于不同原子的区域，然后再分别对每个区域里的电子数去做积分，这样就可以得到每个原子上的Bader电荷。需要特别留心的一点是，VASP普通输出的那个CHGCAR文件，一般情况下只装着价电子的密度，所以Bader程序那边的作者也专门提醒过，在做VASP体系的分析时，更推荐的办法是把AECCAR0和AECCAR2这两份文件结合在一起来生成一份参考电荷密度，再拿它去做Bader分析，这样结果要靠谱得多。

在VASP做计算的时候，电子步老是一会儿往上跳一会儿往下掉，能量来回摆动，或者每个离子步都跑到NELM设置的最大步数，这种情况往往不只有一个原因，而是好几项参数合在一起造成的。想要弄明白电子步收敛太慢该怎么办，以及电子步里的混合参数要往哪个方向去调，就得先看看计算的体系是什么类型，初始电荷给得合不合理，展宽方式是怎么样选的，还有混合的稳定性这些地方有没有出毛病。VASP官方的文档里也专门提过，往一个方向拉得很长的晶胞，特别容易出现电荷在两头来回晃的现象，而电子的收敛效果跟密度混合到底是怎么设的，关系非常紧密。

在做磁性材料、过渡金属体系，或者研究缺陷和表面吸附的时候，如果还继续使用默认的非自旋计算，得到的能量和磁矩往往就靠不住了。这时候就得把两件事弄清楚：VASP里的自旋极化到底怎么打开，以及那些跟自旋初始化有关的参数到底该怎么填。决定这些的，主要是INCAR文件里的ISPIN和MAGMOM。ISPIN这个参数就是用来告诉程序要不要进行自旋极化计算的，当把它设成ISPIN=2以后，VASP就会把自旋向上和自旋向下的电子分开来处理，像铁、钴、镍和磁性氧化物这类体系，一般都需要用上它。

VASP的态密度图要在哪里生成，还有好不容易算出来的态密度结果，又要怎么去跟能带图对应上，这两个问题是很容易被混在一起看的，一次VASP计算跑完之后，它并不会直接给出一张现成的图片，真正被算出来的东西，其实是像DOSCAR和vasprun.xml这样的数据文件，我们想要的图，是需要拿着这些数据，再用别的后处理工具去画出来的，在那个DOSCAR文件里面，会写出能量、态密度，还有积分的态密度这几样东西，而控制态密度能量网格数量的，是另一个专门的参数，至于想看哪个能量范围内的结果，也可以再通过两个额外的参数去调整。

在跑VASP晶格优化的时候，经常会碰到能量和受力来来回回地振荡，怎么都稳不下来，还有那个收敛的标准，也不清楚到底该怎么去把它收得更紧，通常，我们得先把事情给分清楚，这到底是电子步那边自己就不稳当，还是离子步和晶胞那些自由度的调整，做得太过激进了，VASP在做结构优化的时候，是根据一个控制离子位置、晶胞形状还有体积会不会发生变化的参数，来决定到底要放开多少自由度的，你放开的自由度越多，优化起来往往就越容易变难；一旦那个参数被设置成让晶胞的形状和体积可以同时变化，那么刚开始搭的那个结构、算出来的应力、每一次离子移动的步长，还有电子步的收敛情况，全都会影响到后面整个优化的轨迹。

在VASP计算里，能量截断到底该取多大，还有把它提高以后，结果又会跟着变化多少，碰到这种问题，不能只是看到别人论文里写了多少电子伏特，就直接拿过来照着填，这个参数，它控制的是平面波基组的大小，按照VASP的文档说明，它会决定哪些平面波能够进入计算，而且这个能量截断，跟FFT网格一起，会很明显地影响到计算的精度，所以，对于不同的元素、不同的赝势、不同的结构，还有你想要去算的物理性质，都一定得自己动手去做收敛的测试。

做VASP表面计算时，最容易把时间浪费在后期反复返工上，而根子往往不在INCAR参数，而在模型从一开始就没有搭稳。VASP官方教程和Wiki都强调，表面计算本质上是从体相切出slab，再沿表面法向拉出真空区，同时slab厚度和真空厚度都需要分别做收敛检查，不能只盯其中一个。

做VASP的NEB时，很多人前面不是不会插点，而是起算顺序没有收好，结果一跑就出现图像漂移、收敛发散，或者路径一开始就偏得很厉害。VASP Wiki对NEB的起算步骤写得很清楚，先优化初态和末态，再准备中间图像，再在父目录统一放INCAR、KPOINTS和POTCAR，最后从父目录启动整套计算；而且官方还特别提醒，中间图像不要贪多，先用尽量少的图像把路径跑顺，再决定要不要加密，会更稳。